梁骏吾是我国从事硅材料研究的元老级专家，在世纪年代解决了高纯区熔硅的关键技术。
梁骏吾，年月日出生，湖北武汉人。
年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。
年毕业于武汉大学，年至年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻读副博士学位，年获技术科学副博士学位。 年当选为中国工程院院士。 曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、名誉主任。
光明追思 半导体材料专家、中国工程院院士、中国科学院半导体所研究员梁骏吾，因病医治无效，于年月日在北京逝世，享年岁。
年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。 年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。 梁骏吾一生与半导体材料科研事业相伴，他曾在采访中说，希望通过自己的科研经历，带给年轻科研人员一些启发，让他们看到这份事业可以有所作为，让他们觉得自己同样能够作出成绩。 （光明日报全媒体记者李苑）。
年制备出室温激光器用GaAs液相外延材料。
